Photostrom-Spektroskopie von Silicium: Charakterisierung von Eisen kontaminiertem Silicium und Isolator/Silicium-Strukturen mit dem Elymat-Verfahren - Image 1

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VDM Verlag Photostrom-Spektroskopie von Silicium: Charakterisierung von Eisen kontaminiertem Silicium und Isolator/Silicium-Strukturen mit dem Elymat-Verfahren

Name: Photostrom-Spektroskopie von Silicium: Charakterisierung von Eisen kontaminiertem Silicium und Isolator/Silicium-Strukturen mit dem Elymat-Verfahren
Brand: VDM Verlag
Price: 66.0 GBP
Availability: InStock

Electronics Engineering

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Description

Das vorliegende Buch dokumentiert umfassende experimentelle und theoretische Untersuchungen zur Injektionsabhängigkeit von Photostrom-Messungen. Die Injektionsabhängigkeit der Ladungsträgerlebensdauer von Eisen-kontaminierten bordotierten Siliciumproben wurde mit dem konventionellen Elymat-Verfahren experimentell ermittelt und durch zweidimensionale Simulationen verifiziert. Die dabei gewonnenen Ergebnisse sind von grundlegender Bedeutung für die ebenfalls erfolgte Charakterisierung von Isolator/Silicium-Strukturen mit einem modifizierten Elymat-Verfahren. Erstmals ist es mit dieser Messmethode gelungen, die Grenzflächenzustandsdichte und die Isolatorvolumenladung quantitativ zu bestimmen.Das Buch richtet sich an Ingenieure und Physiker aus dem Gebiet der Halbleiterphysik und -messtechnik.

Product Specifications

Brand: VDM Verlag
Format: paperback
ASIN: 3836490889
Category: Books > Subjects > Science, Nature & Maths > Engineering & Technology > Electronics & Communications Engineering > Electronics Engineering
Domain: Amazon UK
Release Date: 25 March 2008
Listed Since: 23 March 2010

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