Le transistor CMOS: la course vers le Nanomonde...: Précipitation du B dans le Si implanté et redistribution du B et Pt lors de l'inter-diffusion réactive dans les films minces Ni/Si - Image 1

£67.00

OmniScriptum Le transistor CMOS: la course vers le Nanomonde...: Précipitation du B dans le Si implanté et redistribution du B et Pt lors de l'inter-diffusion réactive dans les films minces Ni/Si

Name: Le transistor CMOS: la course vers le Nanomonde...: Precipitation du B dans le Si implante et redistribution du B et Pt lors de l'inter-diffusion reactive dans les films minces Ni/Si
Brand: OmniScriptum
Price: 67.0 GBP
Availability: InStock

Professionals & Academics

It has never been this cheap. We have no record of a lower price.

£67 today · cheaper than every other day in the last 3 months

NEW HERE?

Amazon shows you one price. We show you all of them.

Tosheroon watches Amazon prices so you don't have to. Every product on Amazon has a price history — we make it visible. Set the price you'd actually pay, and we'll email you the second it gets there. No app, no account, one email.

WHAT'S ON THIS PAGE

↓ Price chart
when this has been cheap or pricey

↓ Forecast
where the price is heading next

↓ Statistics
all-time high & low, recent range

↑ Price alert
name your number, we'll email you

Price History & Forecast

Grey patches = out of stock. Cheaper = lower on the chart. Hover for exact prices.

Last 63 days · 63 data points (no recent data)

Historical

Generating forecast…

Price Distribution

Price distribution over 63 days • 1 price levels

Days at Price

Price Analysis

Most common price: £67 (63 days, 100.0%)

Price range: £67 - £67

Price levels: 1 different prices over 63 days

Description

Ce travail de thèse est constitué de deux grandes parties. Dans la première partie, nous avons étudié la redistribution du B dans le Si(001), à l'ambiante et après recuit thermique, à l'aide principalement de la sonde atomique tomographique. Pour cette étude, le Si a été fortement dopé en B. La concentration en B dans le Si peut alors dépasser la limite de solubilité. On est donc dans le cas d'un système sursaturé. Dans ce cas, nous avons observé qu'à la formation de défauts (BIC's, etc?) s'ajoute la germination d'amas riches en B ou même la précipitation d'une nouvelle phase après recuit thermique. Dans la deuxième partie, nous avons étudié la redistribution du B et du Pt dans le NiSi, utilisé lors de la miniaturisation des transistors MOS, afin de réduire la résistance de contact. A part l'accumulation du B à l'interface NiSi/Si et à la surface de NiSi, nous avons observé, la précipitation du B dans le monosiliciure de Ni, pour un recuit à 450°C. En revanche, pour le Pt nous n'observons plus un phénomène de précipitation. Il a plutôt tendance de ségréger aux interfaces à 290°C (phénomène de "chasse-neige "), tandis qu'au delà de 350°C, le Pt s'accumule plutot dans la phase NiSi.

Product Specifications

Brand: OmniScriptum
Format: paperback
ASIN: 6131548056
Category: Books > Subjects > Biography > Professionals & Academics
Domain: Amazon UK
Release Date: 25 November 2010
Listed Since: 26 November 2010

Barcode

No barcode data available

OmniScriptum Le transistor CMOS: la course vers le Nanomonde...: Précipitation du B dans le Si implanté et redistribution du B et Pt lors de l'inter-diffusion réactive dans les films minces Ni/Si

It has never been this cheap. We have no record of a lower price.

Price History & Forecast

Price Distribution

Price Analysis

Description

Product Specifications

Barcode

Similar Products You Might Like

Hétérostructures (Al,Ga)N/GaN sur silicium: Epitaxie par jets moléculaires - Applications composants (Omn.Pres.Franc.)

Comportement Des Diodes Lors D’évènements Transitoires Rapides: Outils de Caractérisation et Physique du semi-conducteur (Omn.Univ.Europ.)

Impact des architectures d'intégration 3D sur les technologies CMOS: Technologies CMOS et intégration 3D sont-elles compatibles? Vers une définition de règles de dessin adaptées (Omn.Univ.Europ.)

Synthèse de Nanoparticules Métalliques Vers la Nanomédecine: État de l’art : synthèse de nanoparticules d’or, plasmonique, sers et applications (Omn.Pres.Franc.)

Le silicium et le manganèse pour la thermoélectricité: Appliquer la technologie du silicium pour la fabrication de modules thermoélectriques écologiques en VLSI (Omn.Pres.Franc.)

Propriétés d'adsorption et dynamique ionique dans des silices poreuses: Etude des mécanismes de transport des charges ioniques dans des silices ... en présence d'eau adsorbée (Omn.Univ.Europ.)

Étude des phénomènes électrothermiques: Lies à l’amorphisation et à la cristallisation d’un matériau à changement de phase pour application aux memoires non volatiles (Omn.Univ.Europ.)

XAS investigation de Films minces de SnO2 dopés: Analyses in-situ des corrélations entre la réponse électrique et le comportement des agrégats métalliques (Omn.Pres.Franc.)

Elaboration de films de (La,Sr)2NiO4 et (Ba,Sr)TiO3 par ablation laser: Croissance épitaxiale de perovskites sur substrat silicium pour l’intégration ... de forte capacité (Omn.Pres.Franc.)

ORGANISATION ET RHEOLOGIE DES SUSPENSIONS DE SMECTITES: Impact de la saturation cationique sur l'agencement microscopiques des argiles gonflantes et ... les propriétés d'écoulement (Omn.Univ.Europ.)

Étude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS: induites par des radiations ionisantes (rayons X)

Optimisation et évolution des logiciels embarqués: Infrastructures à base de composants (Omn.Univ.Europ.)

Mouvement des dislocations dans l'hélium-4: Étude du module de cisaillement et de la dissipation associée dans l'hélium-4 solide (Omn.Pres.Franc.)

Traitement chimique des surfaces des alumines silicées: Application à l'hydrocraquage (Omn.Pres.Franc.)

Beyond Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Nanoelectronics: Diversified Approaches to Transcending Physical Scaling Limits

Películas Delgadas Nanocompuestas: Nanopartículas Metálicas/Matrices Mesoporosas con Aplicaciones en Espectroscopía Raman Amplificada por Superficies

Fluorescence induite par laser multi bande: application à la mesure de temperature dans les milieux complexes (sprays) (Omn.Univ.Europ.)

Détection d'événements chimiques et biologiques sur nanostructures: Détection directe d'événements chimiques et biologiques en milieu liquide sur nanostructures de silicium

Modélisation du frottement local à l'interface outil-copeau en usinage: Application à l'usinage des alliages métalliques (Omn.Univ.Europ.)

Physique et Technologie des Dispositifs Optoélectroniques à Semiconduc: Cours et exercices

Thermodynamic Behavior of Nanoparticles in Solutions and Thin Films: How to Tailor Polymer Nanocomposite Structure

Understanding quasi-1D atomic-scale nanowires from ab initio theory: Electron transport, optical and thermodynamical properties

Fonctionnalisation d'une silice mésoporeuse par post-greffage: Conception d'un catalyseur par greffage d'un complexe de ruthénium en milieu confiné; ... à l'oxydation sélective (Omn.Univ.Europ.)

Équilibre d'absorption: Détermination des paramètres cinétiques impliqués dans les processus de réduction des émissions de composés organiques (Omn.Pres.Franc.)