PROGETTAZIONE E FABBRICAZIONE DI UN TRANSISTORE A FILM SOTTILE METALLO-METALLOIDE

In questo lavoro, metallo e metalloide sono stati fabbricati su un substrato di vetro come campioni a film sottile e il loro comportamento elettrico è risultato simile a quello di un transistore a effetto di campo a film sottile. Contatti metallici (Al/Cu) e un canale metalloide (Se) sono stati utilizzati come transistore a effetto di campo sul substrato di vetro depositando i contatti metallici di source, drain e top-gate. Il flusso di portatori dalla source al drain può essere controllato con un gate metallico Schottky. La corrente del canale è stata controllata da uno strato di svuotamento di larghezza variabile attraverso il contatto metallico, modulando lo spessore del canale conduttore. Source e drain della struttura FET sono stati definiti dagli strati metallici di Al o Cu depositati sequenzialmente sul Se nei pattern di contatto definiti mediante evaporazione termica utilizzando un'unità di rivestimento sottovuoto. Sono state determinate le loro proprietà elettriche. Il dispositivo viene utilizzato per controllare la corrente tra drain e source ai diversi potenziali tra gate e source ($V_{GS}$), inducendo l'accumulo di carica libera alla giunzione metallo-semiconduttore. I film sottili di seleniuro di alluminio sono stati ricotti a 50°C e 100°C, come confermato successivamente dalla diffrazione di raggi X e dalla spettroscopia ottica.