L'oxyde d'hafnium pour la microélectronique: Caractérisation et modélisation électrique (Omn.Univ.Europ.) - Image 1

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OmniScriptum L'oxyde d'hafnium pour la microélectronique: Caractérisation et modélisation électrique (Omn.Univ.Europ.)

Name: L'oxyde d'hafnium pour la microelectronique: Caracterisation et modelisation electrique (Omn.Univ.Europ.)
Brand: OmniScriptum
Price: 79.0 GBP
Availability: InStock

Professionals & Academics

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Description

Du fait de sa grande constante diélectrique et sa large bande interdite, l'oxyde d'hafnium a récemment été proposé pour remplacer l'oxyde thermique classique. Le but de cette thèse était de faire un point sur les propriétés électriques de ce nouveau matériau et de mieux comprendre les difficultés rencontrées par l'industrie de la microélectronique pour intégrer cet oxyde alternatif dans les futurs transistors CMOS. Cette thèse est organisée en quatre chapitres. Chacun d'entre eux est consacré à une propriété électrique essentielle de l'empilement haute permittivité : L'EOT (Epaisseur Equivalente Oxyde), la conduction à travers l'isolant, les défauts électriques dans l'oxyde et la fiabilité du diélectrique.

Product Specifications

Brand: OmniScriptum
Format: paperback
ASIN: 6131580375
Category: Books > Subjects > Biography > Professionals & Academics
Domain: Amazon UK
Release Date: 28 June 2011
Listed Since: 29 June 2011

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